力特熔断器, -华为麒麟1020新说
来源： 作者： 发布时间：2019-12-17 08:25 点击数：3
高通骁龙865发布了，性能轻取安卓阵营桂冠，而善于打时间差的华为下一代麒麟旗舰也开始频繁曝料，不出意外将在明年下半年的Mate 40系列上首发。
麒麟990 5G处理器采用了台积电7nm EUV工艺，集成103亿个晶体管，移动SoC中首次过百亿，芯片面积为113.31平方毫米，算下来每平方毫米大约9090万个晶体管。
华为下一代旗舰SoC据说会叫做麒麟1020，代号巴尔的摩(Baltimore)，曝料称相比于麒麟990性能可提升多达50％，主要原因是CPU架构从A76跨代升级到A78，领先高通骁龙865、联发科天玑1000里使用的A77，同时标配集成5G基带。
麒麟1020几乎锁定采用台积电5nm工艺，晶体管密度自然将大大提升，最新消息称每平方毫米有望达到1.713亿个左右，对比麒麟990 5G增加了接近90％。
5nm将是台积电的又一个重要工艺节点，使用第五代FinFET晶体管技术，EUV极紫外光刻技术也扩展到10多个光刻层，并分为N5、N5P两个版本，前者相比于N7 7nm工艺性能提升15％、功耗降低30％，后者在前者基础上继续性能提升7％、功耗降低15％。
台积电目前正在试产5nm，测试芯片平均良品率高达80％，最高可超90％，预计在明年上半年投入大规模量产。